TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
500V |
جریان کاری |
20A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
500V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
3-5V |
ID(25°C) |
24A |
ID(HIGH TEMP) |
15.2A |
IDM-IDP |
96A |
PD(TA=25°C) |
2.22W |
PD(TC=25°C) |
271W |
RDS(on) |
0.16-0.19Ω |
td(ON) |
80-170ns |
tr |
250-500ns |
td(off) |
200-400ns |
Trr |
400ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.80x21x5mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.22 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 10 μA (VDS = 500 V)
• Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
ای جی بی تی فست 48 آمپر 600 ولتIXYS اریجینال المان مونتاژ کره/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ GenX3TM 600V IGBT/ 48A, 600 V, High speed PT IGBT for/ 40-100kHz Switching/ IGBT فرکانس بالا
جایگزین اپ امپ 741،پهنای باند 1 مگاهرتز و ولتاژ کاری 18± ولت،دارای چهار اپ امپ
مقاومت کربنی6.8 مگااهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor