ای سی 4 گیت نند دو وروی با خروجی اپن درین ( Quad 2-input NAND gate (with open drain outputs
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ای سی |
|
سری |
CMOS |
|
تعداد پین |
14 |
|
پکیج |
DIP-14 |
|
ولتاژکاری |
2-6V |
|
جریان کاری |
- |
|
ابعاد |
20.32x7.40x5.06mm |
|
دمای کاری |
85+~40- |
|
برند |
- |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
گیتNAND |
خازن تانتال 4.7 میکرو فاراد کیفیت بسیار بالا و صنعتی 35 ولت
N CHANNEL HEXFET® Power MOSFET,55V,110A(80A 100C), TO-220 ماسفت قدرت 55 ولت 110 آمپر IR مکزیک اریجینال RDS=8 میلی اهم
ماژول 1200 ولت 100 آمپر -نیپا اورجینال / 1200V,100A, IGBT Modules ,nippa,2-PACK,Half Bridge
Low-Loss Fast Recovery Diode 200V,40A,TO-3P,trr=18ns ,VF=0.95V / دیود فست 200 ولت 40 آمپر نیپا -کاتد مشترک -18 نانو ثانیه پکیچ TO-3P
