HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 55mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB
ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 55mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
400V |
جریان کاری |
10A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
400V |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2-3-4V |
ID(25°C) |
10A |
ID(HIGH TEMP) |
6.3A |
IDM-IDP |
40A |
PD(TA=25°C) |
1W |
PD(TC=25°C) |
125W |
RDS(on) |
0.48-0.55Ω |
td(ON) |
17ns |
tr |
10ns |
td(off) |
10ns |
Trr |
370ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.40x15.75x4.60mm |
دمای کاری |
150+~65- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
DESCRIPTION
The PowerMESH™II is the evolution of the first generation
of MESH OVERLAY™. The layout refinements
introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the leading
edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
کاربردها:
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
UPS AND MOTOR CONTROL
pulse-width-modulation (PWM) control,DIP-16 آیسی PWM خروجی 200 میلی آمپر اریجینال تگزاز
200KOhm مولتی ترن 1/2 وات 25 دور خوابیده 1/2W Multiturn Cermet Trimming Potentiometer 200K Ohm مولتی ترن 204
HEXFET® Power MOSFET , p-Canal, 74A 55V TO-220 ماسفت قدرت 55 ولت 75 آمپر p کانال(مثبت) RDS=0.02 میلی اهم
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 2.7 مگا اهم 0805 تلرانس 5 درصد