6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت6.5 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 80mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power
MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 200 ولت6.5 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 80mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
200V- |
|
جریان کاری |
6.5A- |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
(VGS(th |
2V-4V- |
|
(ID(25°C |
6.5A- |
|
(ID(HIGH TEMP |
4A- |
|
IDM-IDP |
26A- |
|
(PD(TA=25°C |
0.6W |
|
(PD(TC=25°C |
75W |
| (RDS(on |
0.500-0.800Ω |
|
(td(ON |
30-50ns |
|
tr |
50-100ns |
|
(td(off |
50-100ns |
|
Trr |
400ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 6.5A, 200V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
ساخت نیپا بسیار با کیفیت ساخت ژاپن(فیلیپین) 105 درجه سایز 25 در 40 سری طول عمر بالا (HP) استفاده عمده در جوش های اینورتری 470UF/ 250V HP471W25AT 470UF /250V
با سیم - آبی ترانسدیوسر Transducers Open loop current sensor based on the principle of Hall-effect سنسور حلقه باز اثر هال 0 تا 100 آمپری اریجینال خروجی 4 ولت
مقاومت5 % کربنی 1 وات
مقاومت کربنی56 اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
