11A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت11 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 50mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
11A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power
MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 200 ولت11 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 50mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
200V- |
|
جریان کاری |
11A- |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2V-4V- |
|
ID(25°C) |
11A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
7A- |
|
IDM-IDP |
44A- |
|
PD(TA=25°C) |
1W |
|
PD(TC=25°C) |
125W |
| RDS(on) |
0.350-0.500Ω |
|
td(ON) |
18-22ns |
|
tr |
45-68ns |
|
td(off) |
75-90ns |
|
Trr |
300ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 11A, 200V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
Single Supply Dual Operational Amplifiers ,SO-8 تقویت کننده(آمپلی فایر) اس ام دی
ساخت نیپا بسیار با کیفیت ساخت ژاپن(فیلیپین) 105 درجه سایز 18 در 35 سری طول عمر بالا (TR) استفاده عمده در جوش های اینورتری 3300UF/ 50V TR332W5AT 3300UF /50V
مقاومت کربنی3.9 مگا اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
برد مدار اسنابر Snubber محافظ IGBT برای انواع دستگاه جوش از جمله صبا PCB200-005 REV B کد AT-SNO-M1
