42A,100V, 0.240 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 100 ولت 42 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.036
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
42A,100V, 0.240 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 100 ولت 42 آمپر فیلیپین
RDS(on) = 0.036
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
100V |
|
جریان کاری |
42A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
42A |
|
ID(HIGH TEMP) |
30A |
|
IDM-IDP |
140A |
|
PD(TA=25°C) |
1.1W |
|
PD(TC=25°C) |
160W |
| RDS(on) |
0.036ω |
|
td(ON) |
11ns |
|
tr |
56ns |
|
td(off) |
45ns |
|
Trr |
180-270ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال فیلیپین -کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
خازنی در رده کیفیت بالا-ساخت چین سایز 6*11 خازن الکترولیت
آیسی گیت درایور IGBT و ماسفت اپتوکوپلری خروجی2 آمپر IGBT Gate Drive Power MOS FET Gate Drive,DIP-8
ترانزیستور NPN ولتاژ100 ولت 6 آمپر TIP41CTU Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-220, Through Hole
120 وات -پاور سوئیچینگ 12 ولت 10 آمپر فلزی و صنعتی باریک کیفیت بالا AC INPUT:110/220V +15%, 50/60Hz,DC OUTPUT: 12V 10A, POWER: 120W
