30A,200V, 0.073 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 30 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.075
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
30A,200V, 0.073 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 30 آمپر فیلیپین
RDS(on) = 0.075
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
30A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
30A |
|
ID(HIGH TEMP) |
21A |
|
IDM-IDP |
120A |
|
PD(TA=25°C) |
1.4W |
|
PD(TC=25°C) |
214W |
| RDS(on) |
0.075Ω |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
43ns |
|
td(off) |
41ns |
|
Trr |
186-279ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال فیلیپین -کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
40A, 1200 V,Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال اتریش دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
میکروکنترلر 32 بیتی با فلش 1024K و رم 192K با فرکانس 168 مگاهرتز ARM Cortex-M4 32b MCU+FPU, 210DMIPS, up to 1MB Flash/192+4KB RAM, USB OTG HS/FS, Ethernet, 17 TIMs, 3 ADCs, 15 comm. interfaces & camera
هویه هوشمند رومیزی 60 وات با کنترل دمای بین 200 تا 480 درجه سانتیگراد -قطر سیم لحیم از 0.6 تا 1.4 میلیمتر-زمان تاخیر قلع کاری 2.7 ثانیه -دارای پدال و جهت قلع کاری طولانی مدت
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر / Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
