30A,200V, 0.073 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 30 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.075
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
30A,200V, 0.073 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 30 آمپر فیلیپین
RDS(on) = 0.075
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
30A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
30A |
|
ID(HIGH TEMP) |
21A |
|
IDM-IDP |
120A |
|
PD(TA=25°C) |
1.4W |
|
PD(TC=25°C) |
214W |
| RDS(on) |
0.075Ω |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
43ns |
|
td(off) |
41ns |
|
Trr |
186-279ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال فیلیپین -کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
ای جی بی تی الترا فست 50 آمپر 650 ولت اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 50A, 650 V, High Speed Switching & Low Power Loss
درایور PWM اریجینال با فرکانس کاری 55 کیلو هرتز Switching Controllers 52kHz 1A Current PWM DIP8
هیتر تک کاره رومیزی 450 وات با کنترل دمای بین 100 تا 450 درجه سانتیگراد -جریان باد دهی120 - نویز صدایی کمتر از 45 دسی بل
ترانزیستور NPN ولتاژ 45 ولت100 میلی آمپر Bipolar Transistors BJT 45V,100mA NPN TRANSISTOR
