30A,200V, 0.073 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 30 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.075
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
30A,200V, 0.073 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 30 آمپر فیلیپین
RDS(on) = 0.075
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
30A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
30A |
|
ID(HIGH TEMP) |
21A |
|
IDM-IDP |
120A |
|
PD(TA=25°C) |
1.4W |
|
PD(TC=25°C) |
214W |
| RDS(on) |
0.075Ω |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
43ns |
|
td(off) |
41ns |
|
Trr |
186-279ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال فیلیپین -کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 55mΩ
خازن MKT ظرفیت1 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors MKT 1nF 100V 102j100V
برد خام دستگاه 12 ماسفتی پهن (1.5 سانتیمتر پهن تر از سایز نرمال) با ضخامت مس بالا با کیفیت- 2 ولوم - نمایشگر دار کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد-مخصوص دستگاه های چینی از جمله هایترونیکhitronic و آروا 250 آمپری
هسته فریت نانو کریستال(آمورف) سایز T80x50x30
