50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.04
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین
RDS(on) = 0.04
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
50A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
50A |
|
ID(HIGH TEMP) |
35A |
|
IDM-IDP |
200A |
|
PD(TA=25°C) |
2W |
|
PD(TC=25°C) |
300W |
| RDS(on) |
0.04Ω |
|
td(ON) |
17ns |
|
tr |
60ns |
|
td(off) |
55ns |
|
Trr |
268-402ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال فیلیپین -کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
ترموسوئیچ 60 درجه نرمالی اوپن(تیغه باز) -60 درجه سانتیگراد کیفیت بالا
مقاومت5 % کربنی 1 وات
تراشه سوییچ صدا TS34118CS Voice Switched Speakerphone Circuit
Schottky Barrier Rectifier, 20A, 150V دیود شاتکی 150 ولت 20 آمپر -
