50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.04
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین
RDS(on) = 0.04
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
50A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
50A |
|
ID(HIGH TEMP) |
35A |
|
IDM-IDP |
200A |
|
PD(TA=25°C) |
2W |
|
PD(TC=25°C) |
300W |
| RDS(on) |
0.04Ω |
|
td(ON) |
17ns |
|
tr |
60ns |
|
td(off) |
55ns |
|
Trr |
268-402ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال فیلیپین -کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
35A,100V ,SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER پل دیود تکفاز 35 آمپر 1000 ولت بدنه فلز
ای جی بی تی فست 40 آمپر 1200 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, IGBT - Field Stop II :VCEsat = 2V
مقاومت کربنی0.5 اهم 1/4 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.25w Axial resistor
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 6.8 کیلو اهم 1206 تلرانس 5 درصد
