50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.04
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین
RDS(on) = 0.04
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
50A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
50A |
|
ID(HIGH TEMP) |
35A |
|
IDM-IDP |
200A |
|
PD(TA=25°C) |
2W |
|
PD(TC=25°C) |
300W |
| RDS(on) |
0.04Ω |
|
td(ON) |
17ns |
|
tr |
60ns |
|
td(off) |
55ns |
|
Trr |
268-402ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال فیلیپین -کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
مقاومت5 % کربنی 1 وات
درایور PWM اریجینال با فرکانس کاری 55 کیلو هرتز اس ام دی Current Mode PWM Controller,SOP-8 درایور PWM اریجینال
40A, 1200 V,High speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel diode ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اورجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار صاف 9 پین(مادگی) - فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر
