23A,250V, 0.14 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 250 ولت 23 آمپر RDS(on) = 0.14
23A,250V, 0.14 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 250 ولت 23 آمپر
RDS(on) = 0.14
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
250V |
|
جریان کاری |
23A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
250V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
23A |
|
ID(HIGH TEMP) |
16A |
|
IDM-IDP |
92A |
|
PD(TA=25°C) |
1.5W |
|
PD(TC=25°C) |
220W |
| RDS(on) |
125mΩ |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
34ns |
|
td(off) |
37ns |
|
Trr |
210-310ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
کیفیت بالا -ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
ترانس خروجی(ترانس رکتیفایر) دستگاه ماسفتی EER42X15 7:22:70 HS بسیار با کیفیت نسبت دور 7:22:70 9 پین و 180 درجه
ماسفت قدرت 100 ولت 33 آمپر با مقاومت IR فیلیپین HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB RDS(on) = 44mΩ
ترانزیستور NPN ولتاژ 45 ولت100 میلی آمپر Bipolar Transistors BJT 45V,100mA NPN TRANSISTOR
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر / Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
