23A,250V, 0.14 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 250 ولت 23 آمپر RDS(on) = 0.14
23A,250V, 0.14 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 250 ولت 23 آمپر
RDS(on) = 0.14
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
250V |
|
جریان کاری |
23A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
250V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
23A |
|
ID(HIGH TEMP) |
16A |
|
IDM-IDP |
92A |
|
PD(TA=25°C) |
1.5W |
|
PD(TC=25°C) |
220W |
| RDS(on) |
125mΩ |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
34ns |
|
td(off) |
37ns |
|
Trr |
210-310ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
کیفیت بالا -ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
30A,200V, 0.073 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 30 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.075
120 وات -پاور سوئیچینگ 12 ولت 10 آمپر فلزی و صنعتی قابلیت تنظیم ولتاژ خروجی کیفیت بالا
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
Schottky Barrier Rectifier, 200mA, 30V دیود شاتکی 30 ولت 200 میلی آمپر -
