23A,250V, 0.14 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 250 ولت 23 آمپر RDS(on) = 0.14
23A,250V, 0.14 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 250 ولت 23 آمپر
RDS(on) = 0.14
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
250V |
|
جریان کاری |
23A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
250V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
23A |
|
ID(HIGH TEMP) |
16A |
|
IDM-IDP |
92A |
|
PD(TA=25°C) |
1.5W |
|
PD(TC=25°C) |
220W |
| RDS(on) |
125mΩ |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
34ns |
|
td(off) |
37ns |
|
Trr |
210-310ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
کیفیت بالا -ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
ترایاک 41 آمپر 600 ولت ،تریاک 41A ,600V, logic level and standard Triacs,TO-3P
مقاومت5 % کربنی 1 وات
مقاومت کربنی56کیلو اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
50A, 650 V, High Speed Fieldstop Trench IGBT ای جی بی تی 50 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اورجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
