ماسفت 55 ولت 120 آمپر N کانال 55V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET
استفاده در انواع پاور های صنعتی - سوئیچینگ ها و منابع تغذیه
LM1117iMPX-3.3
General Features
● VDS =55V,ID =120A
RDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V (Typ:4.1mΩ)
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation
● Special process technology for high ESD capability
Application
● Power switching application
● Hard switched and high frequency circuits
● Uninterruptible power supply
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V |
|
جریان کاری |
120A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
- |
|
VGS-VGSS |
20 |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
120 |
|
ID(HIGH TEMP) |
85A |
|
IDM-IDP |
- |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
200W |
| RDS(on) |
0.35 |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
19NS |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
37NS |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
- |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
|
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | SMD |
| ویژگی خاص | - |
11A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت11 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 50mΩ
23A,250V, 0.14 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 250 ولت 23 آمپر RDS(on) = 0.14
خازن MKT ظرفیت1 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors POLYESTER 1nF 100V 102j100V 1000pf 1000 پیکوفاراد
P-channel MOSFER -100V, 19A TO-263AB (D2PAK) ماسفت اس ام دی 100-ولت19 آمپر
