43A 1200V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. This SMPS, TO-247 ای جی بی تی 43 آمپر (22 امپر در دمای 110 درجه) فست 1200 ولت فیرچایلد اورجینال (ON) دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
Fairchild Semiconductor Corporation
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
- |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
43A |
|
IC(HIGH TEMP) |
22A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
298W |
|
VGE(th) |
4.5-5.5-7V |
|
VCE(sat) |
2.1-2.4V |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
43A |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
23ns |
|
tr |
12ns |
|
td(off) |
180ns |
|
Trr |
60ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
ON-FAIRCHILD |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اورجینال واردات از Digi-Key اتریش |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
آیسی گیت درایور IGBT و ماسفت اپتوکوپلری خروجی 1.5 آمپر IGBT Gate Drive Power MOS FET Gate Drive,DIP-8
ای سی ایتوپرام 4 کیلو بیت،512 بایت با رابط I2C دوسیمه I2C-Compatible (2-wire) Serial EEPROM (EEPROM 4-Kbit (512 x 8
خازن MKT ظرفیت1 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors POLYESTER 1nF 100V 102j100V 1000pf 1000 پیکوفاراد
مقاومت5 % کربنی 2 وات
