HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر سیلان RDS(on) = 0.175
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
TRANSISTOR, P-channel MOSFET,IRF9Z24N
12A ,55V ,TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 0.175
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V- |
|
جریان کاری |
17A- |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
12A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
8.5A- |
|
IDM-IDP |
48A- |
|
PD(TA=25°C) |
3.8W |
|
PD(TC=25°C) |
45W |
| RDS(on) |
0.175Ω |
|
td(ON) |
13ns |
|
tr |
55ns |
|
td(off) |
23ns |
|
Trr |
47-71ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
سیلان |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
l Fully Avalanche Rated
50A, 600 V, Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP ای جی بی تی الترا فست 50 آمپر 600 ولت ایفینیون چیپ اتریش مونتاژ چین دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای سی تغذیه 10 وات،آفلاین سوئیچر Energy Effi cient, Offl ine Switcher with Enhanced Flexibility and Extended Power Range
دارای نمایشگر - سنسور حرارتی و حرکتی داخل دسته -هیتر تک کاره دیجیتال رومیزی 450 وات با کنترل دمای بین 100 تا 450 درجه سانتیگراد -جریان باد دهی120 - نویز صدایی کمتر از 45 دسی بل
مولتیمتر اتوماتیک و حرفه ای با امکانات بسیار زیاد-قابلیت اندازه گیری انواع پارامترها از جمله ولتاژ DC و AC -جریان AC و DC -مقاومت-خازن-تست دیودی و اتصال کوتاه -دما -هرتز -محافظ بار بیش از حد خروجی-نگه دارنده دیتا -خاموش شدن اتوماتیک
