MOSFET N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52 ماسفت قدرت 500 ولت 12 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
Features
1. Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.45 Ω (typ.)
2. High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.)
3. Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V)
4. Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
1. Drain to source voltage : VDSS = 500 V
2. Gate to source voltage : VGSS = ± 30 V
3. Drain current : ID = 12 A
4. Drain power dissipation : PD = 45 W
5. Single pulse avalanche energy : Eas = 364 mJ
6. Avalanche curren : Iar = 12 A
7. Repetitive avalanche energy : Ear = 4.5 mJ
8. Channel temperature : Tch = 150 °C
9. Storage temperature : Tstg = -55 to +150 °C
K12A50D pinout
Applications
Switching Regulator
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220F |
|
ولتاژکاری |
500V |
|
جریان کاری |
12A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
12A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
48A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
45W |
| RDS(on) |
0.45Ω |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
22ns |
|
td(off) |
120ns |
|
Trr |
1300ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
- |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.04
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
ماژول 1200 ولت 75 آمپر -سیلان اورجینال / 1200V,75A, IGBT Modules ,SILAN,2-PACK,Half Bridge
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی