TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−π−MOSV) 60V,60A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 60 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
چاپر ها
کانورتر های DC به DC
درایورهای موتور
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive
Applications
4-V gate drive
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 8 mΩ (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 60 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 60 V)
Enhancement mode : Vth = 0.8 to 2.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
60V |
جریان کاری |
60A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
60V |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
- |
ID(25°C) |
60A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
240A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
150W |
RDS(on) |
8mΩ |
td(ON) |
- |
tr |
- |
td(off) |
- |
Trr |
- |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ترانس خطای 200:1 دستگاه IGBT ترانس CT یا ترانس فالت 200:1 اریجینال و با کیفیت بالا HS20674/T20X12X8/CT 200:1 /FAULT 200:1
ST2N N-channel 60 V, 1.8 Ω, 0.35 A, SOT23-3L, TO-92 STripFET™ Power MOSFET ماسفت 60 ولت 200 میلی آمپر
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار صاف 5 پین(نری) - فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر
ماسفت قدرت 600 ولت6 آمپر HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 600V, 6A,