TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−π−MOSV) 60V,60A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 60 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
چاپر ها
کانورتر های DC به DC
درایورهای موتور
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive
Applications
4-V gate drive
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 8 mΩ (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 60 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 60 V)
Enhancement mode : Vth = 0.8 to 2.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
60V |
|
جریان کاری |
60A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
60V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
60A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
240A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
8mΩ |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.04
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری6.8 کیلو اهم 5 وات 6.8K 5W 6.8K
سوکت 28 پین آی سی -فاصله پین تا پین 2.54 میلیمتر - IC Sockets, 28Pin- Material: Black Thermoplastic Contact: Tin-Plated Alloy
رله16 آمپر 12 ولت کتابی یا شیشه ای امرن سری G2R - سوکتی 8 پایه - 2 کنتاکته
