ماسفت P کانال 30 ولت 12 آمپر MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
استفاده در انواع تجهیزات و دستگاه جوش های اینورتری
P-Channel 30V 12A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Categories | Discrete Semiconductor Products | |
|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | ||
| Manufacturer | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
| Series | - | |
Packaging ![]() |
Cut Tape (CT) ![]() |
|
| Part Status | Active | |
| FET Type | P-Channel | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 15V | |
| FET Feature | - | |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) | |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Supplier Device Package | 8-SOIC | |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
8 |
|
پکیج |
SOIC-8 |
|
ولتاژکاری |
30V |
|
جریان کاری |
12A |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
30V |
|
VGS-VGSS |
- |
|
(VGS(th |
- |
|
(ID(25°C |
12A |
|
(ID(HIGH TEMP |
- |
|
IDM-IDP |
- |
|
(PD(TA=25°C |
- |
|
(PD(TC=25°C |
|
| (RDS(on | |
|
(td(ON |
|
|
tr |
|
|
(td(off |
|
|
Trr |
|
|
MOSFET PACK |
|
|
ابعاد |
|
|
دمای کاری |
|
|
برند |
|
|
کشور سازنده |
|
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | |
| ویژگی خاص |
HEXFET® Power MOSFET , p-Canal, 74A 55V TO-220 ماسفت قدرت 55 ولت 75 آمپر p کانال(مثبت) RDS=0.02 میلی اهم
مقاومت5 % کربنی 1 وات
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 2.2 مگا اهم 1206 تلرانس 5 درصد
ترانزیستور PNP ولتاژ60- ولت 10- آمپر Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60V,- 10A, 75 W, TO-220