- Low Switching Losses
- Low V(CEsat)
- T(vj op) = 150°C
- V(CEsat) with positive Temperature Coefficient
- High Power and Thermal Cycling Capability
- Copper Base Plate
- Solder Contact Technology
- Standard Housing
1200V,35A,PIM,infineon,7-Pack ماژول 1200 ولت 35 آمپر هفت تایی با پل دیود سه فاز داخلی اینفینیون اریجینال(ترمز دار)
1200V,35A,IGBT Module PIM,infineon,7-Pack
ماژول 1200 ولت 35 آمپر هفت تایی با پل دیود سه فاز داخلی اینفینیون اریجینال(ترمز دار)
کنترل امیتر
NTC
FP35R12KT4_B15
FP35R12KT4-B15
موارد استفاده :
انواع اینورترهای دور موتور
انواع اینورترهای جریان
منابع سوئیچینک
مدارهای قدرت و مخابراتی
اینورترهای جوشکاری
و......
مشخصات بیشتر:
بسیار پر قدرت و صنعتی
شامل هفت iGBT میباشد
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Modules |
تعداد پین |
24 |
پکیج |
MODULE |
ولتاژکاری |
1200V |
جریان کاری |
35A |
VCE |
1200V |
IC(25°C) |
- |
IC(HIGH TEMP) |
35A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
210W |
VGE(th) |
5.2-5.8-6.4V |
VCE(sat) |
1.85-2.15V |
ICM-IC PULSE |
70A |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
- |
td(ON) |
0.16µs |
tr |
0.03µs |
td(off) |
0.33µs |
Trr |
- |
IGBT PACK |
7 |
Thermistors |
NTC 5ΚΩ |
ابعاد |
107.5x45x17mm |
دمای کاری |
150+~40- |
برند |
INFINEON |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال ایفینیون |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
ماژول هفت تایی با پل دیود سه فاز داخلی |
EconoPIM™ 2 1200V three phase PIM IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC (alternative mechnically compatible to an IGBT3 module)
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 56 اهم 0805 تلرانس 5 درصد
50A, 650 V, High Speed Fieldstop Trench IGBT ای جی بی تی 50 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اورجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
75A, 650 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا