1200V,200A, IGBT Modules ,SEMIKRON,2-PACK,Half Bridge ماژول 1200 ولت 200 آمپردوبل -سمیکرون اریجینال
1200V,200A, IGBT Modules ,SEMIKRON,2-PACK,Half Bridge
ماژول 1200 ولت 200 آمپردوبل -سمیکرون اریجینال
Fast IGBT4 Modules
SKM200GB12T4
موارد استفاده :
انواع اینورترهای دور موتور
انواع اینورترهای جریان
منابع سوئیچینک
مدارهای قدرت و مخابراتی
اینورتر جوشکاری و صنایع جوش و برش
و......
دوبل - نیم پل
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Modules |
|
تعداد پین |
4 |
|
پکیج |
MODULE |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
200A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
313A |
|
IC(HIGH TEMP) |
241A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
4.5-5.5-6.5V |
|
VCE(sat) |
1.80-2.05V |
|
ICM-IC PULSE |
200A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
- |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
106.4x61.4x30.5mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
SEMIKRON |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال سمیکرون آلمان |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
ماژول دوبل -نیم پل |
Features
IGBT4 = 4. generation fast trench IGBT
(Infineon)
CAL4 = Soft switching 4. generation
CAL-diode
Isolated copper baseplate using DBC
technology (Direct Bonded Copper)
Increased power cycling capability
With integrated gate resistor
For higher switching frequenzies up to
20kHz
UL recognized, file no. E63532
Typical Applications*
AC inverter drives
UPS
Electronic welders at fsw up to 20 kHz
Remarks
Case temperature limited
to Tc = 125°C max.
Recommended Top = -40 ... +150°C
Product reliability results valid
for Tj = 150°C
آیسی گیت درایور IGBT و ماسفت اپتوکوپلری خروجی2 آمپر IGBT Gate Drive Power MOS FET Gate Drive,DIP-8
BZX55C68 Zener Diodes 68V 500mW دیود زنر68 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, Field Stop Trench IGBT
ترانزیستور PNP ولتاژ -150 ولت 500-میلی آمپر PNP SILICON TRANSISTOR -150V,-500mA SOT-23
