کپی ساخت چین-غیر صنعتی TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (L2−π−MOSV) 60V,5A MOSFET,TO-252 ماسفت قدرت 60 ولت 5 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (L2−π−MOSV)
2SK2231
Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive
Applications
4 V gate drive
Low drain-source ON-resistance : RDS (ON) = 0.12 Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 60 V)
Enhancement mode : Vth = 0.8 to 2.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
موارد استفاده :
انواع چاپر
انواع سوئیچینگ ها
انواع دایورهای موتور
انواع مبدل های DC به DC
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-252 |
|
ولتاژکاری |
60V |
|
جریان کاری |
5A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
60V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
5A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
20A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
20W |
| RDS(on) |
0.12Ω |
|
td(ON) |
-ns |
|
tr |
18ns |
|
td(off) |
170ns |
|
Trr |
70ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
-mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 15mΩ
دیود شاتکی 60 ولت 3 آمپر DO-214AB / Schottky Diodes & Rectifiers 3A,60V,SMD SCHOTTKY Rect
N-CHANNEL MOSFET,60V,200mA TO-92 ماسفت N کانال 60 ولت 200 میلی آمپر
دیود فست 400 ولت 20 آمپر WXDH چین - کاتد مشترک /Low-Loss Fast Recovery Diode 400V,20A,TO-3P
