25A, 1200 V, Low Loss DuoPack ای جی بی تی الترا فست 25 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
25A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
50A |
|
IC(HIGH TEMP) |
25A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
348W |
|
VGE(th) |
5-6-7V |
|
VCE(sat) |
2-2.4V |
|
ICM-IC PULSE |
100A |
|
IF(25°C) |
25A |
|
IF(HIGH TEMP) |
12.5A |
|
td(ON) |
73ns |
|
tr |
41ns |
|
td(off) |
269ns |
|
Trr |
100ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.26x20.30x5.31mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
MAGNACHIP |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال-کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field
Stop Trench IGBT Technology, which provides low VCE(SAT),
high switching performance and excellent quality.
This device is for PFC, UPS & PV inverter and Welder
Applications.
Features
High Speed Switching & Low VCE(sat) Loss
VCE(sat) = 2.0V @IC = 25A
High Input Impedance
trr = 100ns (typ.) @ diF/dt = 500A/ μs
Maximum junction temperature 175°C
Pb-free ; RoHS compliant
Ultra Soft, fast recovery anti-parallel diode
Ultra Narrowed VF distribution control
Positive Temperature coefficient for easy paralleling
مقاومت کربنی22 اهم 1/4 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.25w Axial resistor
سوکت 20 پین آی سی -فاصله پین تا پین 2.54 میلیمتر - IC Sockets, 20Pin- Material: Black Thermoplastic Contact: Tin-Plated Alloy
ترانزیستورPNP ولتاژ 400- ولت300- میلی آمپر Bipolar Transistors BJT -400V,-300mA PNP TRANSISTOR
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 100 ولت 36 آمپر RDS(on) =44mΩ
