Schottky Barrier Rectifier, 1A, 20V دیود شاتکی 20 ولت 1 آمپر - سایز 58 میلی متر
Schottky Barrier Rectifier, 1A, 20V
دیود شاتکی 20 ولت 1 آمپر
The Schottky Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The Schottky Rectifier¿s state-of-the-art geometry features chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes and polarity protection diodes.
| Features | |
|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ویژگی |
مقادیر |
|
خانواده |
دیود |
|
سری دیود |
شاتکی |
| تعداد پین | 2 |
| پکیج |
DO-41 |
| ولتاژکاری |
20V |
| جریان کاری |
1A |
| توان |
- |
| VZ |
- |
| VRRM | 20V |
| VRMS |
- |
| VDC |
- |
|
VF |
- |
| (IF(AV)-I(AV |
1A |
|
IFRM |
- |
|
IFSM |
25A |
|
(IR(25°C |
1mA |
|
(IR(HIGH TEMP |
10mA |
|
CJ |
- |
|
Trr |
- |
|
ابعاد |
3.05x3.05x6.60mm |
|
دمای کاری |
125+~65- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
تایوان |
|
کیفیت |
ارجینال |
|
نوع مونتاژ |
DIP |
|
ویژگی خاص |
- |
HEXFET® Power MOSFET 23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 11.7mΩ
مقاومت کربنی2کیلو اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
برد اسیلاتور (بردکنترل) دستگاه جوش تک برد igbt مدل 200 آمپری یا 250 (دیپ ) با ماسفت های K3484 و J598 درایور برد ترانس پالس کیفیت بالا و صنعتی استفاده از قطعات بسیار با کیفیت sg3525- اس ام دی
ماسفت قدرت 100 ولت 180 آمپر N کانال RDS=1.4 - 40V 195A Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
