Bipolar Transistors - BJT
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ترانزیستور |
سری ترانزیستور |
|
تعداد پین |
|
پکیج |
|
ولتاژکاری |
|
جریان کاری |
|
VCBO |
|
VCEO |
|
VEBO |
|
IC |
|
ICM-ICPULSE |
- |
IB |
- |
IBM |
- |
VCE(sat) |
|
VBE(on)-VBE(sat) |
|
hFE(min) |
|
hFE(max) |
|
ptot-PD |
|
FT |
|
ابعاد |
5.20x5.33x4.19mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
OTHER |
کشور سازنده |
چین |
کیفیت |
اورجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 500V,15A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
تریاک درایور اپتوکوپلری 400 ولت 1 کانال 7.5K ولت ایزوله ،اپتو ترایاک 6 پین 400V Random Phase Triac Driver Output Optocoupler 7500Vrms 1 Channel ,DIP-6
BZX55C3V9 Zener Diodes 3.9V 500mW دیود زنر 3.9 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
خازن MKT ظرفیت82 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors MKT82nF 100V 823j100V