ترانزیستور NPN ولتاژ 65 ولت100 میلی آمپر Bipolar Transistors BJT 65V,100mA NPN TRANSISTOR
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
|
|
تعداد پین |
|
|
پکیج |
|
|
ولتاژکاری |
|
|
جریان کاری |
|
|
VCBO |
|
|
VCEO |
|
|
VEBO |
|
|
IC |
|
|
ICM-ICPULSE |
- |
|
IB |
- |
|
IBM |
- |
|
VCE(sat) |
|
|
VBE(on)-VBE(sat) |
|
|
hFE(min) |
|
|
hFE(max) |
|
|
ptot-PD |
|
|
FT |
|
|
ابعاد |
5.20x5.33x4.19mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
میکروکنترلر 8 بیت اتمل با فلش 128 کیلو بایت و فرکانس 16 مگاهرتز
خازنی در رده کیفیت بالا-ساخت چین سایز 10*20 خازن الکترولیت
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 2.4 کیلو اهم 1206 تلرانس 5 درصد
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا چینی (کپی) Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P