ترانزیستور NPN ولتاژ 30 ولت100 میلی آمپر Bipolar Transistors BJT 30V,100mA NPN TRANSISTOR
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
|
|
تعداد پین |
|
|
پکیج |
|
|
ولتاژکاری |
|
|
جریان کاری |
|
|
VCBO |
|
|
VCEO |
|
|
VEBO |
|
|
IC |
|
|
ICM-ICPULSE |
- |
|
IB |
- |
|
IBM |
- |
|
VCE(sat) |
|
|
VBE(on)-VBE(sat) |
|
|
hFE(min) |
|
|
hFE(max) |
|
|
ptot-PD |
|
|
FT |
|
|
ابعاد |
5.20x5.33x4.19mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
دیودالترا فست 600 ولت 30 آمپر / کاتد مشترک /2*15A Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری33 اهم 10 وات 33R10W 33R
مقاومت5 % کربنی 1 وات
اسیلوسکوپ دیجیتال 2 کانال 100 مگاهرتز به همراه فانگشن ژنراتور داخلی -سرعت نمونه برداری 1GSa/S -صفحه نمایش 7 اینچی TFT با کیفیت-عمق حافظه 240 کیلوبیت
