ترانزیستورPNP ولتاژ 80- ولت500- میلی آمپر Bipolar Transistors BJT -80V,-500mA PNP TRANSISTOR
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
|
|
تعداد پین |
|
|
پکیج |
|
|
ولتاژکاری |
|
|
جریان کاری |
|
|
VCBO |
|
|
VCEO |
|
|
VEBO |
|
|
IC |
|
|
ICM-ICPULSE |
- |
|
IB |
- |
|
IBM |
- |
|
VCE(sat) |
|
|
VBE(on)-VBE(sat) |
|
|
hFE(min) |
|
|
hFE(max) |
|
|
ptot-PD |
|
|
FT |
|
|
ابعاد |
5.20x5.33x4.19mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
دیودالترا فست 400 ولت 1 آمپر / Fast / Ultrafast Diode, 400 V, 1 A, Single, 1 V, 50 ns, 30 A ,DO-15 trr =50
میکروکنترلر 32 بیتی با فلش 512K و رم 192K با فرکانس 168 مگاهرتز ARM Cortex-M4 32b MCU+FPU, 210DMIPS, up to 1MB Flash/192+4KB RAM, USB OTG HS/FS, Ethernet, 17 TIMs, 3 ADCs, 15 comm. interfaces & camera
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 3.9 مگا اهم 1206 تلرانس 5 درصد
**اولین بار در ایران -با قسمت تغذیه و کنترل کامل-جهت استفاده از چهار خروجی ترانس و ترانس های غیر موازی *** ضخامت مس بسیار بالای 52.5 میکرونی -تقویت مسیر بالا و پایین - 4 خروجی ترانس - سه فاز و تکفاز کد AT-250M-20M-C کیفیت بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد
