POWER MOSFET 21A, 1000V, 0.500 Ohm ماسفت قدرت 1000 ولت 21 آمپر RDS(on) = 500mΩ advanced power technology
POWER MOSFET
21A, 1000V, 0.500 Ohm
ماسفت قدرت 1000 ولت 21 آمپر
RDS(on) = 500mΩ
advanced power technology
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-264 |
|
ولتاژکاری |
1000V |
|
جریان کاری |
21A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
1000V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
21A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
84A |
|
PD(TA=25°C) |
4.16W |
|
PD(TC=25°C) |
520W |
| RDS(on) |
0.500Ω |
|
td(ON) |
16-32ns |
|
tr |
13-26ns |
|
td(off) |
59-90ns |
|
Trr |
960ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
20.50x26.49x5.21mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
معمولی |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement
mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,
increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
مزایا:
• Faster Switching • 100% Avalanche Tested
• Lower Leakage • Popular TO-264 Package
1 نانوفاراد 10 کیلو ولت خازن سرامیکی ولتاژبالا 102/10KV 1NF/10KV 1000pF/10KV
خازن( فیلم)پلی استر 10 نانوفاراد 100 ولت 10NF/100V
سه پایه -دیود الترا فست 600 ولت 60 آمپر 60A,600V TO-3P ,Ultrafast Recovery Diode trr = 27-230nS
سه ولوم تنظیم مجزا-هویه 60 وات با کنترل دمای بین 200 تا 480 درجه سانتیگراد- هیتر 450 وات کنترل دمای بین 100 تا 450 درجه سانتیگراد و جریان باد دهی 120 لیتر در دقیقه
