POWER MOSFET 21A, 1000V, 0.500 Ohm ماسفت قدرت 1000 ولت 21 آمپر RDS(on) = 500mΩ advanced power technology
POWER MOSFET
21A, 1000V, 0.500 Ohm
ماسفت قدرت 1000 ولت 21 آمپر
RDS(on) = 500mΩ
advanced power technology
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-264 |
ولتاژکاری |
1000V |
جریان کاری |
21A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
1000V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
21A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
84A |
PD(TA=25°C) |
4.16W |
PD(TC=25°C) |
520W |
RDS(on) |
0.500Ω |
td(ON) |
16-32ns |
tr |
13-26ns |
td(off) |
59-90ns |
Trr |
960ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
20.50x26.49x5.21mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
OTHER |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
معمولی |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement
mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,
increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
مزایا:
• Faster Switching • 100% Avalanche Tested
• Lower Leakage • Popular TO-264 Package
42A,100V, 0.240 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 100 ولت 42 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.036
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری 4.7 اهم 10 وات 4.7R10W 4.7R
مقاومت5 % کربنی 1 وات
BZX55C39 Zener Diodes 39V 500mW دیود زنر39 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)