MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 100 ولت 17 آمپر RDS(on) = 90mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220 contribute
to its wide acceptance throughout the industry
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V |
|
جریان کاری |
17A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
17A |
|
ID(HIGH TEMP) |
12A |
|
IDM-IDP |
60A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
گیت درایور -کنترلر انواع اینورتر 6 آمپر Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 6A-Peak Low-Side MOSFET Driver
(فن کانادایی مونتاژ چین)دوام بسیار بالا فن بلبرینگی اریجینال پلکو 51*150*170 دور بالا ولتاژ 220 ولت 0.23 آمپر باد دهی بالا 5 پره2770 دور -محافظت امپدانس - موتور بزرگ بسیار با دوام وبا کیفیت پلکو موتور-پلکوموتور
دیود پل تک فاز 1000 ولت 3 آمپر مربعی/ 3Amp 1000V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier
مقاومت5 % کربنی 1 وات