MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 100 ولت 17 آمپر RDS(on) = 90mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220 contribute
to its wide acceptance throughout the industry
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V |
|
جریان کاری |
17A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
17A |
|
ID(HIGH TEMP) |
12A |
|
IDM-IDP |
60A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
دیود فست 600 ولت 30 آمپر / کاتد مشترک/ 30A,600V TO-247 ,High Efficient Rectifiers Diode trr = 80ns
مقاومت کربنی3.3 مگااهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 820 اهم 0805 تلرانس 5 درصد
هویه آنالوگ رومیزی 60 وات با کنترل دمای بین 200 تا 500 درجه سانتیگراد - با المنت سرامیکی با کیفیت
