MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 100 ولت 17 آمپر RDS(on) = 90mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220 contribute
to its wide acceptance throughout the industry
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V |
|
جریان کاری |
17A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
17A |
|
ID(HIGH TEMP) |
12A |
|
IDM-IDP |
60A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 26 آمپر IR فیلیپین
دیود پل تک فاز 1000 ولت 3 آمپر مربعی/ 3Amp 1000V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier
ترانس پالس EER42X15 25:15 دستگاه جوش اینورتری برند HS اصل بسیار با کیفیت
مقاومت کربنی150 اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
