MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 100 ولت 17 آمپر RDS(on) = 90mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220 contribute
to its wide acceptance throughout the industry
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V |
|
جریان کاری |
17A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
17A |
|
ID(HIGH TEMP) |
12A |
|
IDM-IDP |
60A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
(فن کانادایی مونتاژ چین)سوپر فن بلبرینگی اریجینال پلکو 38*120*120 24V,0.63A AIR FLOW 151 ولتاژ 24 ولت 0.63 آمپر باد دهی151 3750 دور محافظت امپدانس - موتور بزرگ BRUSHLESS DC FAN بسیار با دوام وبا کیفیت
PTC پی تی سی 18-12 اهم ساخت کره جنوبی- کیفیت بالا وبا دوام مقاومت وابسته به دما(زیاد شونده)قطر 9 میلیمتر RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, PTC, 18-12 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
دیود پل تک فاز 1000 ولت 1.5 آمپر گرد/ 1.5Amp 1000V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier
N-channel MOSFER 200V, 9.3A TO-220 ماسفت 200 ولت9.3 آمپر
