60A, 650 V, High Speed Fieldstop Trench IGBT ای جی بی تی 60 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
60A, 650 V, High Speed Fieldstop Trench IGBT
ای جی بی تی 60 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال
مگناچیپ- مگنا چیپ
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
650V |
جریان کاری |
60A |
VCE |
650V |
IC(25°C) |
100A |
IC(HIGH TEMP) |
60A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
428W |
VGE(th) |
4-5-6V |
VCE(sat) |
1.85-2.4V |
ICM-IC PULSE |
180A |
IF(25°C) |
60A |
IF(HIGH TEMP) |
30A |
td(ON) |
42ns |
tr |
54ns |
td(off) |
142ns |
Trr |
110ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.26x21.46x5.31mm |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
MAGNACHIP |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال-کیفیت بالا |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field
Stop Trench IGBT 2nd Generation Technology, which is not only
the highest efficiency capable of switching behavior, but also it
is high ruggedness and excellent quality for solar inverter, UPS,
IH, welder and PFC application where low conduction losses
are essential
Features
High Speed Switching & Low Power Loss
VCE(sat) = 1.85V @ IC = 60A
Eoff = 0.53mJ @ TC = 25°C
High Input Impedance
trr = 110ns (typ.) @diF/dt = 500A/ μs
Maximum Junction Temperature 175°C
ولوم 30000 سیکل 4 پایه(ولوم ایرانس ترانس) 10 کیلو بسیار با کیفیت و طول عمر بالا رو بردی potentiometer B102 4pin کیفیت بسیار بالا و غیر هرز گرد کاملا صنعتی
ای جی بی تی فست 50 آمپر 650 ولت SILAN چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 650V, 55 A Field Stop IGBT
مقاومت کربنی18 اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
Schottky Barrier Rectifier, 3A, 60V دیود شاتکی 60 ولت 3 آمپر -