ای جی بی تی فست 40 آمپر 1200 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, IGBT - Field Stop II :VCEsat = 2V
40A, 1200 V, IGBT - Field Stop II :VCEsat = 2V
ای جی بی تی فست 40 آمپر 1200 ولت on semi اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
1200V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
1200V |
IC(25°C) |
80A |
IC(HIGH TEMP) |
40A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
535W |
(VGE(th |
4.5-5.5-6.5V |
(VCE(sat |
2-2.4V |
ICM-IC PULSE |
200A |
(IF(25°C |
80A |
(IF(HIGH TEMP |
40A |
(td(ON |
116ns |
tr |
42ns |
(td(off |
286ns |
Trr |
240ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.25x21.34x5.30mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
ON SEMI |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اریجینال خرید از دیجی کی اتریش |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
IGBT - Field Stop II
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior
performance in demanding switching applications, offering both low
on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited
for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft
and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 10 s Short Circuit Capability
• These are Pb-Free Devices
Typical Applications
• Solar Inverter
• Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
• Welding
خازنی در رده کیفیت بالا-ساخت چین سایز 10*17
خازنی در رده کیفیت بالا-ساخت چین سایز 5*11 خازن الکترولیت
مقاومت کربنی68کیلو اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
مقاومت کربنی30 کیلواهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor