ای جی بی تی فست 40 آمپر 1200 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, IGBT - Field Stop II :VCEsat = 2V
40A, 1200 V, IGBT - Field Stop II :VCEsat = 2V
ای جی بی تی فست 40 آمپر 1200 ولت on semi اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
80A |
|
IC(HIGH TEMP) |
40A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
535W |
|
(VGE(th |
4.5-5.5-6.5V |
|
(VCE(sat |
2-2.4V |
|
ICM-IC PULSE |
200A |
|
(IF(25°C |
80A |
|
(IF(HIGH TEMP |
40A |
|
(td(ON |
116ns |
|
tr |
42ns |
|
(td(off |
286ns |
|
Trr |
240ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.25x21.34x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
ON SEMI |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال خرید از دیجی کی اتریش |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
IGBT - Field Stop II
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior
performance in demanding switching applications, offering both low
on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited
for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft
and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 10 s Short Circuit Capability
• These are Pb-Free Devices
Typical Applications
• Solar Inverter
• Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
• Welding
10UF/700V/1000A ساخت شرکت CELEM اسرائیل استفاده در صنایع خاص و کوره های القایی 500kVAr
40A, 600 V, High speed DuoPack ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 600 ولت ایفینیون اریجینال اتریش دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
کانکتور مخابراتی مربعی سیم دار صاف 2 پین(مادگی) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر
X2-Class HiPerFETTM Power MOSFET, N CHANNEL, 650V, 80A, TO-247 ماسفت قدرت 650 ولت 80 آمپر IXYS اریجینال
