40N120FL2/NGTB40N120FL2WG اولین بار در ایران - اریجینال خرید از دیجی کی اتریش

نقد و بررسی اجمالی

ای جی بی تی فست 40 آمپر 1200 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, IGBT - Field Stop II :VCEsat = 2V

 دریافت دیتا شیت

40A, 1200 V, IGBT - Field Stop II :VCEsat = 2V
ای جی بی تی فست 40 آمپر 1200 ولت on semi اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا


موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS  و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها

مشخصات:

IGBT - Field Stop II
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior
performance in demanding switching applications, offering both low
on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited
for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft
and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 10 s Short Circuit Capability
• These are Pb-Free Devices
Typical Applications
• Solar Inverter
• Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
• Welding