ماسفت قدرت 600 ولت2.6 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد MOSFET N-Channel 600V 2.6A (Tc) 36W
MOSFET N-Channel 600V 2.6A (Tc) 36W
ماسفت قدرت 600 ولت2.6 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد
دریافت دیتا شیت
پکیج عایق پلاستیکی
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220F |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
2.6A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
600V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
3-5V |
|
ID(25°C) |
2.6A |
|
ID(HIGH TEMP) |
1.64A |
|
IDM-IDP |
10.4A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
36W |
| RDS(on) |
1.77-2.2Ω |
|
td(ON) |
13-35ns |
|
tr |
45-17ns |
|
td(off) |
25-60ns |
|
Trr |
250ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.16x15.80x2.54mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
FAIRCHILD |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
شرح:
FQPF4N60 600V N-channel QFET . These N-Channel enhancement mode power field effect transistors
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) ماسفت قدرت 55 ولت 19 آمپر IR
ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1100V,60A ,TO-3P
ای سی با 8 گیت بافر با 2 فعال کننده High Speed CMOS Logic Octal Buffer/Line Drivers, Three-State
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 2.7 کیلو اهم 0805 تلرانس 5 درصد
