HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB ماسفت قدرت 100 ولت 33 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 44mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB
ماسفت قدرت 100 ولت 33 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 44mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
100V |
جریان کاری |
33A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
100V |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
33A |
ID(HIGH TEMP) |
23A |
IDM-IDP |
110A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
130W |
RDS(on) |
44mΩ |
td(ON) |
11ns |
tr |
35ns |
td(off) |
39ns |
Trr |
115-170ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
500V N-Channel MOSFET,TO-3P 19A, 500V, RDS(on) = 0.38Ω @VGS = 10 V ماسفت قدرت 500 ولت18 آمپر فیرچایلد با دیود فست هرزگرد
P-channel MOSFER -60V, 8.8A TO-251 ماسفت اس ام دی 60-ولت8.8 آمپر
آی سی کنترلر تاچ اسکرین پکیج VFBGA-16 ،صفحه لمسی مقاومتی با نمونه گیری 125 کیو هرتز با مبدل داخلی 12 بیت Touch Screen Controller
ای جی بی تی فست 60 آمپر 650 ولت WXDH چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 650V, 60 A Field Stop IGBT