SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247 ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک RDS(on) = 0.023Ω
SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET
N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247
ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک
RDS(on) = 0.023Ω
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مقاومت درین سورس بسیار پایین
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
94A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
3-5V |
|
ID(25°C) |
94A |
|
ID(HIGH TEMP) |
66A |
|
IDM-IDP |
380A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
580W |
| RDS(on) |
0.023Ω |
|
td(ON) |
23ns |
|
tr |
160ns |
|
td(off) |
43ns |
|
Trr |
230-340ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.87x20.70x5.31mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR مکزیک |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
High frequency DC-DC converters
Benefits
Applications
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
500V N-Channel MOSFET,TO-3P 16.5A, 500V, RDS(on) = 0.38Ω @VGS = 10 V ماسفت قدرت 500 ولت16.5 آمپر فیرچایلد با دیود فست هرزگرد
میکروکنترلر 8 بیتی میکروچیپ با فلش 16 کیلو بایت و رم 768 بایت و فرکانس کاری 48 مگاهرتز 20-Pin USB Flash Microcontrollers with nanoWatt XLP Technology
مقاومت کربنی2.2 اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
بردخام درایور IGBT - فایبرگلاس با کیفیت - کیفیت بسیار بالا تولید آترین - دو رو متالیزه
