SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247 ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک RDS(on) = 0.023Ω
SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET
N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247
ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک
RDS(on) = 0.023Ω
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مقاومت درین سورس بسیار پایین
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
94A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
3-5V |
|
ID(25°C) |
94A |
|
ID(HIGH TEMP) |
66A |
|
IDM-IDP |
380A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
580W |
| RDS(on) |
0.023Ω |
|
td(ON) |
23ns |
|
tr |
160ns |
|
td(off) |
43ns |
|
Trr |
230-340ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.87x20.70x5.31mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR مکزیک |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
High frequency DC-DC converters
Benefits
Applications
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
درایور تریاک اپتوکوپلری 400 ولت 1 کانال 5K ولت ایزوله،اپتو ترایاک 6 پین Optoisolator Triac Output 5000Vrms 1 Channel ,DIP-6
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
1N4751A Zener Diodes 30V 1W دیود زنر30 ولت 1 وات(1000میلی وات)
**اولین بار در ایران-جهت استفاده از چهار خروجی ترانس و ترانس های غیر موازی *** ضخامت مس بسیار بالای 52.5 میکرونی -تقویت مسیر بالا و پایین - 4 خروجی ترانس - سه فاز و تکفاز کد AT-315-24D-M کیفیت بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد
