N CHANNEL HEXFET® Power MOSFET,55V,110A(80A 100C), TO-220 ماسفت قدرت 55 ولت 110 آمپر IR مکزیک اریجینال RDS=8 میلی اهم
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
N CHANNEL HEXFET® Power MOSFET,55V,110A, TO-220
ماسفت قدرت 55 ولت 110 آمپر IR مکزیک اریجینال
RDS=8 میلی اهم
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V |
|
جریان کاری |
110A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
110A |
|
ID(HIGH TEMP) |
80A |
|
IDM-IDP |
390A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
200W |
| RDS(on) |
8mΩ |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
101ns |
|
td(off) |
50ns |
|
Trr |
69-104ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
مکزیک |
|
کیفیت |
کیفیت عالی-ارجینال مکزیک |
| نوع مونتاژ | DIP |
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
international rectifier
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
ای جی بی تی فست 75 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 75A, 600 V IGBT Single Transistor, General Purpose, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247
خازن تانتال 4.7 میکرو فاراد کیفیت بسیار بالا و صنعتی 16 ولت
هویه قلمی برند YIHUA توان 40W -ورودی 220-ماکزیمم دمای تولیدی 530 درجه سانتیگراد - سر هویه با کیفیت و قابل تعویض-طول عمر بالای المنت هویه
دیود عمومی 1000 ولت 3 آمپر -3A,1000V ,DO-214AA (SMBJ) ,1.0A General Purpose Rectifier
