N CHANNEL HEXFET® Power MOSFET,55V,110A(80A 100C), TO-220 ماسفت قدرت 55 ولت 110 آمپر IR مکزیک اریجینال RDS=8 میلی اهم
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
N CHANNEL HEXFET® Power MOSFET,55V,110A, TO-220
ماسفت قدرت 55 ولت 110 آمپر IR مکزیک اریجینال
RDS=8 میلی اهم
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
55V |
جریان کاری |
110A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
55V |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
110A |
ID(HIGH TEMP) |
80A |
IDM-IDP |
390A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
200W |
RDS(on) |
8mΩ |
td(ON) |
14ns |
tr |
101ns |
td(off) |
50ns |
Trr |
69-104ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
مکزیک |
کیفیت |
کیفیت عالی-ارجینال مکزیک |
نوع مونتاژ | DIP |
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
international rectifier
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
آیسی گیت درایور IGBT و ماسفت اپتوکوپلری خروجی2 آمپر IGBT Gate Drive Power MOS FET Gate Drive,DIP-8
مقاومت کربنی8.2 اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
پاور ماسفت 20 آمپر (در دمای ۲۵ درجه)500 ولت ویشای اورجینال / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 20A, 500 V, Power MOSFET,TO-247/
ماسفت قدرت 500 ولت 23 آمپر / مناسب جهت جایگزینی نمونه فوجی / Rds=0.27Ω N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,23A TO-3P