FMH11N90E N-Channel MOSFET , 900 V, 11 A ماسفت 900 ولت 11 آمپر فوجی الکتریک اصل ژاپن
مشخصات بیشتر :
دریافت دیتا شیت
ماسفت n کانال 900 ولت 11 آمپر فوجی ژاپن
پکیجto-3p
استفاده عمده در انواع اینورترها- سوئیچینگ ها و دستگاه جوش های اینوتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
900V |
|
جریان کاری |
11A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
900V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
3.5-4-4.5V |
|
ID(25°C) |
11A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
44A |
|
PD(TA=25°C) |
2.5W |
|
PD(TC=25°C) |
285W |
| RDS(on) |
0.83-1Ω |
|
td(ON) |
37-56ns |
|
tr |
32-48ns |
|
td(off) |
124-186ns |
|
Trr |
2µS |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.5x19.5x4.5mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
FUJI |
|
کشور سازنده |
فیلیپین |
|
کیفیت |
ارجینال ژاپن مونتاژ فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
Features:
MOSFET; N-Channel; FAP-E3 Planar; 900V; 11A; 285W; TO-3P(Q
|
Technical
|
|
| Drain to Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Drain to Source Resistance | 1 Ω |
| Element Configuration | Single |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 30 V |
| Max Operating Temperature | 150 °C |
| Min Operating Temperature | -55 °C |
| Power Dissipation | 285 W |
| Turn-Off Delay Time | 124 ns |
| Turn-On Delay Time | 37 ns |
|
Dimensions
|
|
| Height | 0.768 inch |
| Length | 0.61 inch |
| Width | 0.177 inch |
|
Compliance
|
|
| RoHS | Compliant |
HEXFET® Power MOSFET, IRF840N, N CHANNEL POWER MOSFET, 500V, 8A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 75mΩ
ترانزیستور NPN ولتاژ75 ولت 800 میلی آمپر NPN SILICON TRANSISTOR 75V,800mA TO-39
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری 2.2 اهم 10 وات 2.2R10W 2.2R
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, Field Stop Trench IGBT
