FMH11N90E N-Channel MOSFET , 900 V, 11 A ماسفت 900 ولت 11 آمپر فوجی الکتریک اصل ژاپن
مشخصات بیشتر :
دریافت دیتا شیت
ماسفت n کانال 900 ولت 11 آمپر فوجی ژاپن
پکیجto-3p
استفاده عمده در انواع اینورترها- سوئیچینگ ها و دستگاه جوش های اینوتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
900V |
|
جریان کاری |
11A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
900V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
3.5-4-4.5V |
|
ID(25°C) |
11A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
44A |
|
PD(TA=25°C) |
2.5W |
|
PD(TC=25°C) |
285W |
| RDS(on) |
0.83-1Ω |
|
td(ON) |
37-56ns |
|
tr |
32-48ns |
|
td(off) |
124-186ns |
|
Trr |
2µS |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.5x19.5x4.5mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
FUJI |
|
کشور سازنده |
فیلیپین |
|
کیفیت |
ارجینال ژاپن مونتاژ فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
Features:
MOSFET; N-Channel; FAP-E3 Planar; 900V; 11A; 285W; TO-3P(Q
|
Technical
|
|
| Drain to Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Drain to Source Resistance | 1 Ω |
| Element Configuration | Single |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 30 V |
| Max Operating Temperature | 150 °C |
| Min Operating Temperature | -55 °C |
| Power Dissipation | 285 W |
| Turn-Off Delay Time | 124 ns |
| Turn-On Delay Time | 37 ns |
|
Dimensions
|
|
| Height | 0.768 inch |
| Length | 0.61 inch |
| Width | 0.177 inch |
|
Compliance
|
|
| RoHS | Compliant |
فن بلبرینگی بسیار دور بالای اریجینال نیپا 51*150*150 3900 دور ولتاژ 24 ولت دی سی 1 آمپر باد دهی290 نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 24VDC,1A AIR FLOW 290 RPM:3900 XS15024SH-B60
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری220 اهم 10 وات 220R10W 220R
ای جی بی تی الترا فست 60 آمپر 600 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 60A, 600 V, Field Stop Trench IGBT
دیود پل تک فاز 1000 ولت 8 آمپر شانه ای/ 8Amp 1000V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier
