600V, 40A,IGBT High Speed Power Switching ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا RJH60F5DPQ-A0
600V, 40A,IGBT
High Speed Power Switching
RJH60F5DPQ-A0
ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
RENESAS
Low collector to emitter saturation voltage
uilt in fast recovery diode in one package
High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
80A |
|
IC(HIGH TEMP) |
40A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
260.4W |
|
VGE(th) |
4-7V |
|
VCE(sat) |
1.37-1.8V |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
53ns |
|
tr |
34ns |
|
td(off) |
95ns |
|
Trr |
25ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.94x21.13x5.02mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
RENESAS |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ولوم 30000 سیکل 4 پایه(ولوم ایرانس ترانس) 10 کیلو بسیار با کیفیت و طول عمر بالا رو بردی potentiometer B102 4pin کیفیت بسیار بالا و غیر هرز گرد کاملا صنعتی
HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
14A,500V, 0.4 Ohm, N-Channel Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 500 ولت 14 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.4
مقاومت5 % کربنی 5 وات کیفیت بالا و صنعتی
