600V,30A IGBT,TO-3P ای جی بی تی قدرت 600 ولت 30 آمپر توشیبا ژاپن بدون دیود هرزگرد
600V,30A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 600 ولت 30 آمپر توشیبا ژاپن بدون دیود هرزگرد
دریافت دیتا شیت
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
600 ولت 30 آمپر
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
30A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
100A |
|
IC(HIGH TEMP) |
30A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
120W |
|
VGE(th) |
3-6V |
|
VCE(sat) |
1.7-2.8V |
|
ICM-IC PULSE |
100A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
0.30µs |
|
tr |
0.20µs |
|
td(off) |
0.50µs |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.5x20x4.5mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
بدون دیود هرزگرد |
1. کاربردها:
• Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications
• Dedicated to Partial-Switching Power Factor Correction (PFC) Applications
Note: The product(s) described herein should not be used for any other application.
2. ویژگی ها:
(1) 4th generation
(2) Enhancement mode
(3) High-speed switching : tf = 0.20 μs (typ.) (IC = 50 A)
(4) Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.7 V (typ.) (IC = 50 A)
HEXFET® Power MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری68 اهم 5 وات 68R5W 68R
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 8.2 اهم 1206 تلرانس 5 درصد
کانکتور مخابراتی مربعی صاف6 پین(نری) - فاصله پایه 2.54 میل 250 ولت 3 آمپر
