ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1200V,40A ,TO-3P
TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
1200V,40A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
1200 ولت 40آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
1200V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
1200V |
(IC(25°C |
40A |
(IC(HIGH TEMP |
35A |
VGE |
±25V |
Ptot-PD |
230W |
(VGE(th |
- |
(VCE(sat |
1.50-2.7V |
ICM-IC PULSE |
80A |
(IF(25°C |
20A |
(IF(HIGH TEMP |
- |
(td(ON |
0.18uS |
tr |
0.12uS |
(td(off |
0.40UF |
Trr |
0.60uS |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.5x20.3x4.5mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
سر ولوم سبز رنگ کیفیت بالا و صنعتی
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
مقاومت کربنی39 اهم 1/4 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.25w Axial resistor
هسته فریت نانو کریستال(آمورف) سایز T80x50x30