ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1200V,40A ,TO-3P
TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
1200V,40A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
1200 ولت 40آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
1200V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
1200V |
(IC(25°C |
40A |
(IC(HIGH TEMP |
35A |
VGE |
±25V |
Ptot-PD |
230W |
(VGE(th |
- |
(VCE(sat |
1.50-2.7V |
ICM-IC PULSE |
80A |
(IF(25°C |
20A |
(IF(HIGH TEMP |
- |
(td(ON |
0.18uS |
tr |
0.12uS |
(td(off |
0.40UF |
Trr |
0.60uS |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.5x20.3x4.5mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
آیسی دوبل تقویت کننده دیپ 14 ای سی تقویت کننده،اپ امپ 2 تایی با پهنای باند 4 مگاهرتز و ولتاژ کاری 18± ولت General purpose JFET quad operational amplifiers,DIP-16
1000V, 40A Field Stop Trench IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 1000 ولت فیرچایلد اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی قدرت 480 ولت 51 آمپر توشیبا ژاپن ISL9V5045S3ST: IGBT, 480V, 51A EcoSPARK® I, N-Channel Ignition IGBT
0 تا 30 ولت با جریان 10 آمپر و دقت ±0.1%±1 -4 ولوم- دارای 4LED دقت یک صدم ولت و جریان-راندمان بالا - سنسور هوشمند دمایی و کنترل فن-محافظ عالی اتصال کوتاه-