ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1100V,60A ,TO-3P
TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
1100V,60A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
1100 ولت 60آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
1100V |
جریان کاری |
60A |
VCE |
1100V |
(IC(25°C |
60A |
(IC(HIGH TEMP |
53A |
VGE |
±25V |
Ptot-PD |
333W |
(VGE(th |
- |
(VCE(sat |
1.1-2.5V |
ICM-IC PULSE |
120A |
(IF(25°C |
30A |
(IF(HIGH TEMP |
- |
(td(ON |
0.25uS |
tr |
0.16uS |
(td(off |
0.46uS |
Trr |
0.60uS |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.5x20.3x4.5mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
40A, 600 V, High speed DuoPack ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 600 ولت ایفینیون اریجینال اتریش دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
1N4755A Zener Diodes 43V 1W دیود زنر43 ولت 1 وات(1000میلی وات)
ترانزیستور NPN ولتاژ 45 ولت100 میلی آمپر Bipolar Transistors BJT 45V,100mA NPN TRANSISTOR