ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1100V,60A ,TO-3P
TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
1100V,60A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
1100 ولت 60آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
1100V |
|
جریان کاری |
60A |
|
VCE |
1100V |
| (IC(25°C |
60A |
|
(IC(HIGH TEMP |
53A |
|
VGE |
±25V |
|
Ptot-PD |
333W |
|
(VGE(th |
- |
|
(VCE(sat |
1.1-2.5V |
|
ICM-IC PULSE |
120A |
|
(IF(25°C |
30A |
|
(IF(HIGH TEMP |
- |
|
(td(ON |
0.25uS |
|
tr |
0.16uS |
|
(td(off |
0.46uS |
|
Trr |
0.60uS |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.5x20.3x4.5mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
POWER MOSFET 21A, 1000V, 0.500 Ohm ماسفت قدرت 1000 ولت 21 آمپر RDS(on) = 500mΩ advanced power technology
ای سی اپ امپ تقویت کننده عملیاتی دو تایی با ولتاژ کاری 36 ولت DUAL GENERAL-PURPOSE OPERATIONAL AMPLIFIERS
خازن مولتی لایر 100 نانو فاراد Multilayer ceramic capacitor 100nF 50V 104
ولوم 30000 سیکل دوبل روبردی / 1کیلو بسیار با کیفیت و طول عمر بالا رو بردی potentiometer B102 5pin کیفیت بسیار بالا و غیر هرز گرد کاملا صنعتی
