25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
25A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
50A |
|
IC(HIGH TEMP) |
25A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
365W |
|
VGE(th) |
5.1-5.8-6.4V |
|
VCE(sat) |
1.6-1.8V |
|
ICM-IC PULSE |
75A |
|
IF(25°C) |
50A |
|
IF(HIGH TEMP) |
25A |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
324ns |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.13x21.10x5.21mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
INFINEON |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ویژگی ها:
• Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
• Body diode clamps negative voltages
• Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
• NPT technology offers easy parallel switching capability due to
positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Qualified according to JEDEC1 for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
کاربردها:
• Inductive Cooking
• Soft Switching Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 25 آمپر سیلان چین/ مناسب جهت جایگزینی نمونه فوجی / N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,25A TO-3P/ Rds=0.27Ω
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری22 اهم 10 وات 22R10W 22R
دیود عمومی 1000 ولت 1 آمپر -1A,1000V ,DO-41 ,1.0A General Purpose Rectifier MIC
دستگاه تیغ تیز کن برای تیغ های کف چین بردهای الکترونیک-ماکزیم سایز تیغ 250 میلیمتر - زاویه تیغ 18 تا 25 درجه-سرعت چرخش 2800 دور - سرعت 250 دور تیغ -توان 750w
