25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
25A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
50A |
|
IC(HIGH TEMP) |
25A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
365W |
|
VGE(th) |
5.1-5.8-6.4V |
|
VCE(sat) |
1.6-1.8V |
|
ICM-IC PULSE |
75A |
|
IF(25°C) |
50A |
|
IF(HIGH TEMP) |
25A |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
324ns |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.13x21.10x5.21mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
INFINEON |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ویژگی ها:
• Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
• Body diode clamps negative voltages
• Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
• NPT technology offers easy parallel switching capability due to
positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Qualified according to JEDEC1 for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
کاربردها:
• Inductive Cooking
• Soft Switching Applications
1 نانوفاراد 10 کیلو ولت خازن سرامیکی ولتاژبالا 102/10KV 1NF/10KV 1000pF/10KV
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
ای جی بی تی الترا فست 50 آمپر 650 ولت اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 50A, 650 V, High Speed Switching & Low Power Loss
7CH DARLINGTON SINK DRIVER,DIP-16 درایور 7 کانال دارلینگتون خروجی 500 میلی آمپر LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
