ای سی حافظه نند فلش 1گیگابیت/128 مگابایت 128M x 8 Bit NAND Flash Memory اورجینال
FEATURES
Voltage Supply - 3.3V Device(K9F1G08U0C) : 2.7V ~ 3.6V •
Organization - Memory Cell Array : (128M + 4M) x 8bit - Data Register : (2K + 64) x 8bit •
Automatic Program and Erase - Page Program : (2K + 64)Byte - Block Erase : (128K + 4K)Byte •
(Page Read Operation - Page Size : (2K + 64)Byte - Random Read : 25µs(Max.) - Serial Access : 25ns(Min •
(Fast Write Cycle Time - Page Program time : 200µs(Typ.) - Block Erase Time : 1.5ms(Typ •
Command/Address/Data Multiplexed I/O Port •
Hardware Data Protection - Program/Erase Lockout During Power Transitions •
Reliable CMOS Floating-Gate Technology -Endurance : TBD Program/Erase Cycles(with 1bit/512Byte ECC) - Data Retention : TBD •
Command Driven Operation •
Intelligent Copy-Back with internal 1bit/528Byte EDC •
Unique ID for Copyright Protection •
(K9F1G08U0C-PCB0/PIB0 : Pb-FREE PACKAGE 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch •
میکروکنترلر 8 بیتی میکروچیپ با فلش 16 کیلو بایت و رم 768 بایت و فرکانس کاری 48 مگاهرتز 20-Pin USB Flash Microcontrollers with nanoWatt XLP Technology
مقاومت کربنی200 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
طول کابل 20 سانتیمتر - کابل وارداتی -دو طرف ترمینال-یک طرف سوکت-سوکت چهار پینXH بهمراه کابل آن جهت استفاده در نمایشگرهای سایز کوچک دستگاه جوش اینورتری 200 یا 250 آمپری
هویه هوشمند رومیزی 60 وات با کنترل دمای بین 200 تا 480 درجه سانتیگراد -قطر سیم لحیم از 0.6 تا 1.4 میلیمتر-زمان تاخیر قلع کاری 2.7 ثانیه -دارای پدال و جهت قلع کاری طولانی مدت