ای سی حافظه نند فلش 1گیگابیت/128 مگابایت 128M x 8 Bit NAND Flash Memory اورجینال
FEATURES
Voltage Supply - 3.3V Device(K9F1G08U0C) : 2.7V ~ 3.6V •
Organization - Memory Cell Array : (128M + 4M) x 8bit - Data Register : (2K + 64) x 8bit •
Automatic Program and Erase - Page Program : (2K + 64)Byte - Block Erase : (128K + 4K)Byte •
(Page Read Operation - Page Size : (2K + 64)Byte - Random Read : 25µs(Max.) - Serial Access : 25ns(Min •
(Fast Write Cycle Time - Page Program time : 200µs(Typ.) - Block Erase Time : 1.5ms(Typ •
Command/Address/Data Multiplexed I/O Port •
Hardware Data Protection - Program/Erase Lockout During Power Transitions •
Reliable CMOS Floating-Gate Technology -Endurance : TBD Program/Erase Cycles(with 1bit/512Byte ECC) - Data Retention : TBD •
Command Driven Operation •
Intelligent Copy-Back with internal 1bit/528Byte EDC •
Unique ID for Copyright Protection •
(K9F1G08U0C-PCB0/PIB0 : Pb-FREE PACKAGE 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch •
ایتوپرام 16 کیلو بیت ،،2048 بایت با رابط I2C دوسیمه ای سی (EEPROM 16-Kbit (2024 x 8 کپی،کیفیت معمولی
مقاومت کربنی2.2کیلو اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
دیود فست 2000 ولت 100 میلی آمپر - 0.1A,2000V ,DO-41 ,Trr=100ns ,Fast Recovery Diode بهترین کیفیت و اورجینال ساخت تایوان
ترانزیستورPNP ولتاژ 40- ولت600- میلی آمپر Bipolar Transistors BJT -40V,-600mA PNP TRANSISTOR
