ای سی حافظه نند فلش 2 گیگا بیت/256 مگابایت 2Gb C-die NAND Flash اورجینال
Features
Voltage Supply - 3.3V device(K9F2G08U0C): 2.70V ~ 3.60V
Organization - Memory Cell Array : (256M + 8M) x 8bit - Data Register : (2K + 64) x 8bit
Automatic Program and Erase - Page Program : (2K + 64)Byte - Block Erase : (128K + 4K)Byte
Page Read Operation - Page Size : (2K + 64)Byte - Random Read : 40μs(Max.) - Serial Access
(25ns(Min
Fast Write Cycle Time - Page Program time : 250μs(Typ) - Block Erase Time : 2ms(Typ
Command/Address/Data Multiplexed I/O Port
Hardware Data Protection - Program/Erase Lockout During Power Transitions
Reliable CMOS Floating-Gate Technology -Endurance & Data Retention : Refor to the gualification report -ECC regnirement : 1 bit / 528bytes• Command Driven Operation
Unique ID for Copyright Protection
Package : - K9F2G08U0C-SCB0/SIB0 : Pb-FREE PACKAGE 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch)
ترانس 15:15 ترانس پالس 10 پایه مخصوص دستگاه جوش اینورتری مدل IGBT گامی(جوشا) اریجینال و با کیفیت بالا
مقاومت کربنی3.9 مگا اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
ماسفت 150 ولت 5 آمپرN کانال - N-Channel MITSUBISHI HIGH-SPEED SWITCHING USE
Schottky Barrier Rectifier, 2A, 200V دیود شاتکی 200 ولت 2 آمپر -