ای سی 4 گیت نند دو وروی Quad 2-input NAND gate
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ای سی |
|
سری |
CMOS |
|
تعداد پین |
14 |
|
پکیج |
DIP-14 |
|
ولتاژکاری |
2-6V |
|
جریان کاری |
- |
|
ابعاد |
19x6x3mm |
|
دمای کاری |
150+×65- |
|
برند |
- |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
گیتNAND |
42A,100V, 0.240 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 100 ولت 42 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.036
دیود فست 300 ولت 30 آمپر - 30A,300V TO-247 ,High Efficient Rectifiers Diode trr = 50ns کاتد مشترک
ترانس E25 200:16:33:33 ترانس 8 پایه مخصوص دستگاه جوش اینورتری مدل IGBT اریجینال و با کیفیت بالا
مقاومت کربنی6.8 کیلو اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
