HEXFET® Power MOSFET, IRF840N, N CHANNEL POWER MOSFET, 500V, 8A, TO-220AB ماسفت قدرت 500 ولت8 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 75mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET, IRF840N, N CHANNEL POWER MOSFET, 500V, 8A, TO-220AB
ماسفت قدرت 500 ولت8 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 75mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
500V |
جریان کاری |
8A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
500V |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
8A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
32A |
PD(TA=25°C) |
1W |
PD(TC=25°C) |
125W |
RDS(on) |
0.85Ω |
td(ON) |
35ns |
tr |
15ns |
td(off) |
90ns |
Trr |
600ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.29x15.75x4.92mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
DESCRIPTION
The PowerMESH™II is the evolution of the first generation
of MESH OVERLAY™. The layout refinements
introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the leading
edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
کاربردها:
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
UPS AND MOTOR CONTROL
Cool MOS Power Transistor, N CHANNEL, 650V, 47A, TO-247 ماسفت قدرت 650 ولت 47 آمپر infineon اریجینال RDS(on) = 0.07Ω کمترین مقدار در دنیا!!
ای سی تایمر قابل برنامه ریزی CMOS Programmable Timer High Voltage Types (20V Rating)
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, Field Stop Trench IGBT
کانکتور مخابراتی مربعی صاف 6 پین(نری) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر