6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت6.5 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 80mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power
MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 200 ولت6.5 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 80mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
200V- |
|
جریان کاری |
6.5A- |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
(VGS(th |
2V-4V- |
|
(ID(25°C |
6.5A- |
|
(ID(HIGH TEMP |
4A- |
|
IDM-IDP |
26A- |
|
(PD(TA=25°C |
0.6W |
|
(PD(TC=25°C |
75W |
| (RDS(on |
0.500-0.800Ω |
|
(td(ON |
30-50ns |
|
tr |
50-100ns |
|
(td(off |
50-100ns |
|
Trr |
400ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 6.5A, 200V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
ترانس گامی - ترانس خروجی دستگاه جوش مدل iGBT مدل 250 یا 200 آمپری کد T63*32*22*2P 20:4 کیفیت هسته عالی و صنعتی TDK ژاپن
ماژول 1200 ولت 50 آمپر -سیلان اورجینال / 1200V,50A, IGBT Modules ,SILAN,2-PACK,Half Bridge
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 3.9 مگا اهم 1206 تلرانس 5 درصد
ای جی بی تی الترا فست 80 آمپر 600 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 80A, 600 V, Field Stop Trench IGBT
