TRANSISTOR, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 49A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 49 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
TRANSISTOR, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 49A, TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت 49 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 0.175
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V |
|
جریان کاری |
49A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-3-4V |
|
ID(25°C) |
49A |
|
ID(HIGH TEMP) |
35A |
|
IDM-IDP |
160A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
110W |
| RDS(on) |
15-22mΩ |
|
td(ON) |
18-26ns |
|
tr |
50-75ns |
|
td(off) |
40-50ns |
|
Trr |
47ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.3x15.8x4.5mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
ماسفت قدرت 600 ولت 10 آمپر FQPF10N60C: Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 9.5 A, 730 mΩ, TO-220F
میکروکنترلر 8 بیتی میکروچیپ با فلش 16 کیلو بایت و رم 768 بایت و فرکانس کاری 48 مگاهرتز 20-Pin USB Flash Microcontrollers with nanoWatt XLP Technology
رگلاتور 3.3 ولت ثابت 3 آمپر 3.0A, 52kHz, Step-Down Switching Regulator
