23A,100V, 0.117 Ohm, P-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر RDS(on) = 0.117
23A,100V, 0.117 Ohm, P-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر
RDS(on) = 0.117
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
100V- |
|
جریان کاری |
23A- |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2V-4V- |
|
ID(25°C) |
23A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
16A- |
|
IDM-IDP |
76A- |
|
PD(TA=25°C) |
0.91W |
|
PD(TC=25°C) |
140W |
| RDS(on) |
0.117Ω |
|
td(ON) |
15ns |
|
tr |
67ns |
|
td(off) |
51ns |
|
Trr |
150-220ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
پایه های کنار هم( 1 و 2) -(5 و 6 )-(7 و 8) - (11و 12) - ترانس تغذیه 200:12:22:22 ترانس تغذیه 8 پایه مخصوص دستگاه جوش اینورتری مدل IGBT اریجینال و با کیفیت بالا
مقاومت5 % کربنی 5 وات کیفیت بالا و صنعتی
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 300 اهم 0805 تلرانس 5 درصد
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر / Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
