23A,100V, 0.117 Ohm, P-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر RDS(on) = 0.117
23A,100V, 0.117 Ohm, P-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر
RDS(on) = 0.117 دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
100V- |
جریان کاری |
23A- |
نوع کانال |
P-CHANNEL |
VDS-VDSS |
100V- |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2V-4V- |
ID(25°C) |
23A- |
ID(HIGH TEMP) |
16A- |
IDM-IDP |
76A- |
PD(TA=25°C) |
0.91W |
PD(TC=25°C) |
140W |
RDS(on) |
0.117Ω |
td(ON) |
15ns |
tr |
67ns |
td(off) |
51ns |
Trr |
150-220ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
ماژول دیود فست 400 ولت 200 آمپر /Rectifiers 400V200A Ultrafast POWERTAP2 MACMIC
ای سی اپ امپ تقویت کننده عملیاتی دو تایی با ولتاژ کاری 36 ولت DUAL GENERAL-PURPOSE OPERATIONAL AMPLIFIERS
برد تحریک و درایو IGBT - inverter Board 8 Tubes Single Tube IGBT Single Tube Board
TRANSISTOR, IRFZ24N, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 17A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 17 آمپر سیلان RDS(on) = 0.07