ترانزیستور قدرت 100 ولت3 آمپر - isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·DC Current Gain-
: hFE= 200(Min)@ IC= 0.5A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Driver for solenoid and motor, series regulator and
general purpose applications.
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ترانزیستور |
سری ترانزیستور |
NPN Transistor |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220F |
ولتاژکاری |
100V |
جریان کاری |
3A |
VCBO |
100V |
VCEO |
80V |
VEBO |
- |
IC |
3A |
ICM-ICPULSE |
- |
IB |
- |
IBM |
- |
VCE(sat) |
0.5V |
VBE(on)-VBE(sat) |
- |
hFE(min) |
- |
hFE(max) |
- |
ptot-PD |
- |
FT |
- |
ابعاد |
- |
دمای کاری |
150+~65- |
برند |
|
کشور سازنده |
|
کیفیت |
اورجینال-کیفیت بالا |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
آیسی تقویت کننده SMD 14 General purpose JFET quad operational amplifiers,SOP-16
مقاومت5 % کربنی 5 وات کیفیت بالا و صنعتی
مقاومت کربنی51 کیلواهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
1N4747A Zener Diodes 20V 1W دیود زنر20 ولت 1 وات(1000میلی وات)