ترانزیستور قدرت 100 ولت3 آمپر - isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·DC Current Gain-
: hFE= 200(Min)@ IC= 0.5A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Driver for solenoid and motor, series regulator and
general purpose applications.
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ترانزیستور |
سری ترانزیستور |
NPN Transistor |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220F |
ولتاژکاری |
100V |
جریان کاری |
3A |
VCBO |
100V |
VCEO |
80V |
VEBO |
- |
IC |
3A |
ICM-ICPULSE |
- |
IB |
- |
IBM |
- |
VCE(sat) |
0.5V |
VBE(on)-VBE(sat) |
- |
hFE(min) |
- |
hFE(max) |
- |
ptot-PD |
- |
FT |
- |
ابعاد |
- |
دمای کاری |
150+~65- |
برند |
|
کشور سازنده |
|
کیفیت |
اورجینال-کیفیت بالا |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
NTC ان تی سی 10 اهم ساخت کره جنوبی- کیفیت بالا وبا دوام مقاومت وابسته به دما(کم شونده)قطر 20 میلیمتر RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, PTC, 10ohm, THROUGH HOLE MOUNT
خازن MKT ظرفیت4.7 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors MKT 4.7nF 100V 472j100V
مقاومت5 % کربنی 1 وات
دیود پل تک فاز 600 ولت 4 آمپر / 4Amp 600V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier