ترانزیستور قدرت 100 ولت3 آمپر - isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·DC Current Gain-
: hFE= 200(Min)@ IC= 0.5A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Driver for solenoid and motor, series regulator and
general purpose applications.
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
NPN Transistor |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220F |
|
ولتاژکاری |
100V |
|
جریان کاری |
3A |
|
VCBO |
100V |
|
VCEO |
80V |
|
VEBO |
- |
|
IC |
3A |
|
ICM-ICPULSE |
- |
|
IB |
- |
|
IBM |
- |
|
VCE(sat) |
0.5V |
|
VBE(on)-VBE(sat) |
- |
|
hFE(min) |
- |
|
hFE(max) |
- |
|
ptot-PD |
- |
|
FT |
- |
|
ابعاد |
- |
|
دمای کاری |
150+~65- |
|
برند |
|
|
کشور سازنده |
|
|
کیفیت |
اورجینال-کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
500V N-Channel MOSFET,TO-3P 16A, 500V ماسفت قدرت 500 ولت16 آمپر فوجی ژاپن با دیود فست هرزگرد
ای جی بی تی فست 20 آمپر 600 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 20A,600V High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology
ترانزیستور 200 ولت2 آمپر - استفاده در تلویزیون رنگی- Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
کانکتور مخابراتی مربعی صاف 2 پین(مادگی) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر قفل شو